%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42S32160F-6BL-TR")
Технічний опис IS42S32160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90, Mounting: SMD, Case: TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: 0...70°C, Clock frequency: 167MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Kind of package: reel; tape, Kind of memory: SDRAM, Supply voltage: 3...3.6V DC, Access time: 6ns.
Інші пропозиції IS42S32160F-6BL-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS42S32160F-6BL-TR | ISSI |
 DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42S32160F-6BL-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90 Mounting: SMD Case: TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 167MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx32bitx4 Kind of package: reel; tape Kind of memory: SDRAM Supply voltage: 3...3.6V DC Access time: 6ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42S32160F-6BL-TR |
|
Виробник: ISSI
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS42S32160F-6BL-TR |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90
Mounting: SMD
Case: TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 167MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: SDRAM
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 167MHz; 6ns; TFBGA90
Mounting: SMD
Case: TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 167MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: SDRAM
Supply voltage: 3...3.6V DC
Access time: 6ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.