Продукція > ISSI > IS42S32200L-6TL
IS42S32200L-6TL

IS42S32200L-6TL ISSI


42-45S32200L.pdf Виробник: ISSI
DRAM 64M (2Mx32) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V
на замовлення 31554 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.75 грн
10+243.01 грн
25+206.51 грн
50+194.50 грн
108+188.90 грн
216+183.30 грн
540+177.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS42S32200L-6TL ISSI

Description: IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 64Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 86-TSOP II, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.4 ns, Memory Organization: 2M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS42S32200L-6TL за ціною від 316.17 грн до 533.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS42S32200L-6TL Виробник : ISSI 42-45S32200L.pdf IS42S32200L-6TL DRAM memories - integrated circuits
на замовлення 171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.36 грн
4+334.18 грн
10+316.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS42S32200L-6TL IS42S32200L-6TL Виробник : ISSI 42-45s32200l.pdf DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS42S32200L-6TL IS42S32200L-6TL Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45S32200L.pdf Description: IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 86-TSOP II
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 2M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.