
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 537.00 грн |
26+ | 472.83 грн |
100+ | 422.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S32400F-6BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90, Operating temperature: -40...85°C, Supply voltage: 3...3.6V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory organisation: 1Mx32bitx4, Access time: 6ns, Clock frequency: 166MHz, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 128Mb DRAM, Mounting: SMD, Case: TFBGA90, кількість в упаковці: 240 шт.
Інші пропозиції IS42S32400F-6BLI за ціною від 353.15 грн до 602.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 1Mx32bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Case: TFBGA90 кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IS42S32400F-6BLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 1Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 3...3.6V DC Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory organisation: 1Mx32bitx4 Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 128Mb DRAM Mounting: SMD Case: TFBGA90 |
товару немає в наявності |