IS42S32800J-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 133 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Interface: Parallel
Access Time: 6 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 766.57 грн |
| 10+ | 685.57 грн |
| 25+ | 664.60 грн |
| 50+ | 608.81 грн |
| 240+ | 575.48 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S32800J-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: SDRAM, Clock Frequency: 133 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Memory Interface: Parallel, Access Time: 6 ns, Memory Organization: 8M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS42S32800J-75EBL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS42S32800J-75EBL | ISSI |
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS42S32800J-75EBL |
![]() |
Виробник: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz @ CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


