IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: SDRAM
Clock Frequency: 143 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.4 ns
Memory Organization: 8M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 483.86 грн |
10+ | 428.87 грн |
25+ | 419.96 грн |
40+ | 392.74 грн |
80+ | 352.41 грн |
240+ | 341.75 грн |
480+ | 319.65 грн |
960+ | 308.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32800J-7BLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TFBGA-90, tariffCode: 85423231, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: 143MHz, Anzahl der Pins: 90Pin(s), euEccn: NLR, Speicherdichte: 256Mbit, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Betriebstemperatur, max.: 85°C, usEccn: EAR99, Produktpalette: IS42S, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS42S32800J-7BLI за ціною від 316.45 грн до 536.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT |
на замовлення 10387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS42S32800J-7BLI - DRAM, 8M x 32 Bit, 5.4ns, LVTTL-Schnittstelle, TFBGA-90 tariffCode: 85423231 productTraceability: No rohsCompliant: YES Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Anzahl der Pins: 90Pin(s) euEccn: NLR Speicherdichte: 256Mbit hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, min.: -40°C Betriebstemperatur, max.: 85°C usEccn: EAR99 Produktpalette: IS42S SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI | DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 Clock frequency: 143MHz Access time: 7ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC кількість в упаковці: 240 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IS42S32800J-7BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 143MHz; 7ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 Clock frequency: 143MHz Access time: 7ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 3...3.6V DC |
товар відсутній |