Продукція > ISSI > IS42S83200J-6TL

IS42S83200J-6TL ISSI

Виробник: ISSI
DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IS42S83200J-6TL ISSI

Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим, кількість в упаковці: 108 шт.

Інші пропозиції IS42S83200J-6TL

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IS42S83200J-6TL	ISSI	Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим кількість в упаковці: 108 шт	товару немає в наявності	Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн.
	IS42S83200J-6TL	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Description: IC SDRAM 256MB 166MHZ 54TSOP	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 216 шт В кошику од. на суму грн.

IS42S83200J-6TL

Виробник: ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 256 Мбіт, Орг. пам. = 32М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Од. вим
кількість в упаковці: 108 шт

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 108 шт

В кошику од. на суму грн.

IS42S83200J-6TL

Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SDRAM 256MB 166MHZ 54TSOP

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 216 шт

В кошику од. на суму грн.