IS42S86400D-6TL ISSI
Виробник: ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSO
кількість в упаковці: 108 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS42S86400D-6TL ISSI
Синхронна динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,0...3,6, Об'єм RAM = 512 Мбіт, Орг. пам. = 64М х 8, Тдост/Частота = 166 МГц, Тексп, °C = 0...+70, Тип інтерф. = Паралельний, tдост = 5,4 нс,... Група товару: Інтегральні мікросхеми Корпус: TSO, кількість в упаковці: 108 шт.
Інші пропозиції IS42S86400D-6TL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/54-TSOP.jpg "IS42S86400D-6TL") |
IS42S86400D-6TL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SDRAM 512M 166MHZ 54TSOP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS42S86400D-6TL | Виробник : ISSI |
DRAM 512M (64Mx8) 166MHz SDR SDRAM, 3.3V |
товару немає в наявності |