%20Renders/90-BGA%2013x8.jpg "IS42VM32200M-75BLI-TR")
Технічний опис IS42VM32200M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 64Mb DRAM, Memory organisation: 512kx32bitx4, Clock frequency: 133MHz, Access time: 7.5ns, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 1.7...1.95V DC.
Інші пропозиції IS42VM32200M-75BLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS42VM32200M-75BLI-TR | ISSI |
 DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |
| IS42VM32200M-75BLI-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 64Mb DRAM Memory organisation: 512kx32bitx4 Clock frequency: 133MHz Access time: 7.5ns Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 1.7...1.95V DC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS42VM32200M-75BLI-TR |
|
Виробник: ISSI
DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
DRAM 64M, 1.8V, Mobile SDRAM, 2Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS42VM32200M-75BLI-TR |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 512kx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 64MbDRAM; 512kx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 64Mb DRAM
Memory organisation: 512kx32bitx4
Clock frequency: 133MHz
Access time: 7.5ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.