на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 627.41 грн |
| 10+ | 587.15 грн |
| 25+ | 501.00 грн |
| 209+ | 445.09 грн |
| 1045+ | 441.41 грн |
| 5016+ | 440.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR16128C-25DBL ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16128C-25DBL - DRAM, 128M x 16 Bit, WBGA-84, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: WBGA, Speicherdichte: 2Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 400MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS43DR16128C-25DBL за ціною від 542.31 грн до 1182.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR16128C-25DBL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGAPackaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 128M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IS43DR16128C-25DBL | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16128C-25DBL - DRAM, 128M x 16 Bit, WBGA-84 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WBGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IS43DR16128C-25DBL | Виробник : ISSI |
43DR16128C-25DBL DRAM memories - integrated circuits |
товару немає в наявності |