IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA
Memory Organization: 32M x 16
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 374.66 грн |
| 10+ | 329.24 грн |
| 25+ | 322.96 грн |
| 40+ | 300.87 грн |
| 209+ | 269.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 84TWBGA, Memory Organization: 32M x 16, Access Time: 450 ps, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Part Status: Active, Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 333 MHz, Technology: SDRAM - DDR2, Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 84-TFBGA, Packaging: Tray, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43DR16320E-3DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR16320E-3DBLI | ISSI |
DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR16320E-3DBLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V
DRAM 512M 32Mx16 333MHz DDR2 1.8V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)