IS43DR16640C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 84-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 416.74 грн |
| 10+ | 366.76 грн |
| 25+ | 359.68 грн |
| 40+ | 335.11 грн |
| 209+ | 300.70 грн |
| 418+ | 299.58 грн |
| 627+ | 276.17 грн |
| 1045+ | 264.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR16640C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: WBGA, Speicherdichte: 1Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 333MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 84Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 16bit, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IS43DR16640C-3DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR16640C-3DBLI | ISSI |
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR16640C-3DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WBGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 333MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16bit directShipCharge: 25 |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR16640C-3DBLI |
|
Виробник: ISSI
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IS43DR16640C-3DBLI |
|
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16bit
directShipCharge: 25
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16bit
directShipCharge: 25
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)