на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 763.88 грн |
| 10+ | 693.75 грн |
| 25+ | 590.02 грн |
| 50+ | 587.81 грн |
| 100+ | 527.48 грн |
| 242+ | 512.03 грн |
| 484+ | 486.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR82560C-3DBL ISSI
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 2Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 333 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 450 ps, Memory Organization: 256M x 8.
Інші пропозиції IS43DR82560C-3DBL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR82560C-3DBL | Виробник : ISSI |
 256Mx8, 128Mx16 DDR2 DRAM |
товару немає в наявності |
|
| IS43DR82560C-3DBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 32Mx8bitx8; 333MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C Case: TWBGA60 Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 32Mx8bitx8 Access time: 5ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 2Gb DRAM Operating temperature: 0...85°C Supply voltage: 1.7...1.9V DC кількість в упаковці: 242 шт |
товару немає в наявності |
||
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR82560C-3DBL") |
IS43DR82560C-3DBL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 256M x 8 |
товару немає в наявності |
|
| IS43DR82560C-3DBL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 32Mx8bitx8; 333MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷85°C Case: TWBGA60 Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 32Mx8bitx8 Access time: 5ns Clock frequency: 333MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 2Gb DRAM Operating temperature: 0...85°C Supply voltage: 1.7...1.9V DC |
товару немає в наявності |