Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400D-25DBLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60, DRAM-Ausführung: DDR2, Bauform - Speicherbaustein: BGA, DRAM-Dichte: 512, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 400, Versorgungsspannung, nom.: 1.8, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Anzahl der Pins: 60, Produktpalette: IS43DR, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IS43DR86400D-25DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | |
|
IS43DR86400D-25DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 512 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 400 Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 60 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR86400D-25DBLI |
![]() |
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS43DR86400D-25DBLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



