Продукція > ISSI > IS43DR86400D-25DBLI

IS43DR86400D-25DBLI ISSI


43-46DR86400D-16320D.pdf
Виробник: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400D-25DBLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60, DRAM-Ausführung: DDR2, Bauform - Speicherbaustein: BGA, DRAM-Dichte: 512, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: 400, Versorgungsspannung, nom.: 1.8, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Anzahl der Pins: 60, Produktpalette: IS43DR, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

Інші пропозиції IS43DR86400D-25DBLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS43DR86400D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46DR86400D-16320D.pdf Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400D-25DBLI IS43DR86400D-25DBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) 2622025.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400D-25DBLI 43-46DR86400D-16320D.pdf
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400D-25DBLI 2622025.pdf
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.