 
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
 Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
                                                Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 185.04 грн | 
| 10+ | 161.49 грн | 
| 25+ | 158.05 грн | 
| 40+ | 147.50 грн | 
| 80+ | 141.28 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 400 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 400 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified. 
Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBL за ціною від 166.48 грн до 252.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IS43DR86400E-25DBL | Виробник : ISSI |  DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V | на замовлення 168 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
| IS43DR86400E-25DBL | Виробник : ISSI |  Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: 0...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 12.5ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 400MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory | товару немає в наявності |