Продукція > ISSI > IS43DR86400E-25DBLI-TR

IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI


43_46DR86400E_16320E-1102465.pdf
Виробник: ISSI
DRAM 512M, 18V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx105mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Access time: 12.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Clock frequency: 400MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Kind of package: reel; tape, Case: TWBGA60.

Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBLI-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS43DR86400E-25DBLI-TR ISSI IS43DR16320E-25DBL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400E-25DBLI-TR IS43DR16320E-25DBL.pdf
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.