Продукція > ISSI > IS43DR86400E-25DBLI

IS43DR86400E-25DBLI ISSI

Name: IS43DR86400E-25DBLI
Brand: ISSI
SKU: 237379-4
Price: 509.83 UAH
Availability: InStock

Виробник: ISSI
DRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V

на замовлення 724 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	509.83 грн
10+	458.55 грн
25+	391.38 грн
50+	388.44 грн
100+	326.64 грн
242+	325.91 грн
484+	325.17 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400E-25DBLI ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Access time: 12.5ns, Clock frequency: 400MHz, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 512Mb DRAM, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Type of integrated circuit: DRAM memory, кількість в упаковці: 242 шт.

Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBLI

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IS43DR86400E-25DBLI	Виробник : ISSI	DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43DR86400E-25DBLI	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Mounting: SMD Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory кількість в упаковці: 242 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43DR86400E-25DBLI	Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43DR86400E-25DBLI	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory organisation: 16Mx8bitx4 Access time: 12.5ns Clock frequency: 400MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 512Mb DRAM Mounting: SMD Case: TWBGA60 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Type of integrated circuit: DRAM memory	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.