на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 479.33 грн |
| 10+ | 431.21 грн |
| 25+ | 368.09 грн |
| 50+ | 365.04 грн |
| 100+ | 323.80 грн |
| 242+ | 298.60 грн |
| 484+ | 296.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Access time: 12.5ns, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Clock frequency: 400MHz, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Memory: 512Mb DRAM, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Type of integrated circuit: DRAM memory.
Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA |
товару немає в наявності |
|
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
товару немає в наявності |
|
| IS43DR86400E-25DBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 12.5ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 400MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory |
товару немає в наявності |