Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-25DBLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Access time: 12.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Clock frequency: 400MHz, Memory: 512Mb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx8bitx4, Kind of package: in-tray; tube, Case: TWBGA60.
Інші пропозиції IS43DR86400E-25DBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43DR86400E-25DBLI") |
IS43DR86400E-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR86400E-25DBLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60 Kind of memory: DDR2; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.9V DC Access time: 12.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...85°C Clock frequency: 400MHz Memory: 512Mb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx8bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43DR86400E-25DBLI |
|
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS43DR86400E-25DBLI |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA60
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 512Mb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику
од. на суму грн.