IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.64 грн |
| 10+ | 271.74 грн |
| 25+ | 263.58 грн |
| 40+ | 243.41 грн |
| 80+ | 237.62 грн |
| 242+ | 228.44 грн |
| 484+ | 223.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 333 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 450 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI за ціною від 282.04 грн до 411.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 15ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 333MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory кількість в упаковці: 242 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IS43DR86400E-3DBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Mounting: SMD Case: TWBGA60 Access time: 15ns Supply voltage: 1.7...1.9V DC Clock frequency: 333MHz Memory organisation: 16Mx8bitx4 Memory: 512Mb DRAM Kind of memory: DDR2; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory |
товару немає в наявності |