Продукція > ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC > IS43DR86400E-3DBLI
IS43DR86400E-3DBLI

IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

43-46DR86400E-16320E.pdf
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.15 грн
10+392.49 грн
25+380.68 грн
50+348.87 грн
242+329.94 грн
484+321.74 грн
726+311.80 грн
1210+305.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 512Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 333MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8bit, directShipCharge: 25.

Інші пропозиції IS43DR86400E-3DBLI за ціною від 722.62 грн до 722.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI ISSI 43_46DR86400E_16320E.pdf DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400E-3DBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 43-46DR86400E-16320E.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
directShipCharge: 25
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+722.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400E-3DBLI 43_46DR86400E_16320E.pdf
IS43DR86400E-3DBLI
Виробник: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43DR86400E-3DBLI 43-46DR86400E-16320E.pdf
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
directShipCharge: 25
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+722.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.