IS43LD16128C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 834.88 грн |
| 10+ | 746.00 грн |
| 25+ | 722.83 грн |
| 40+ | 667.25 грн |
| 171+ | 633.25 грн |
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Технічний опис IS43LD16128C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 2Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 533MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 134Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS43LD16128C-18BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
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IS43LD16128C-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43LD16128C-18BLI |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



