IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 718.97 грн |
| 10+ | 643.35 грн |
| 25+ | 623.53 грн |
| 40+ | 575.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4, Bauform - Speicherbaustein: FBGA, DRAM-Dichte: 1, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.2, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Seitengröße: -, Anzahl der Pins: 134, Produktpalette: IS43LD, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IS43LD16640C-25BLI за ціною від 525.52 грн до 759.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LD16640C-25BLI | Виробник : ISSI |
DRAM 1G 64Mx16 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V |
на замовлення 156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip Mobile LPDDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.2V/1.8V 134-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IS43LD16640C-25BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16640C-25BLI - SDRAM, 64M x 16 Bit, parallele Schnittstelle, FBGA-134 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: FBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Operating temperature: -40...85°C Access time: 18ns Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Memory: 1Gb DRAM Mounting: SMD Clock frequency: 400MHz Memory organisation: 8Mx16bitx8 кількість в упаковці: 171 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IS43LD16640C-25BLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 400MHz; 18ns; TFBGA134 Type of integrated circuit: DRAM memory Case: TFBGA134 Kind of memory: LPDDR2; SDRAM Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Operating temperature: -40...85°C Access time: 18ns Supply voltage: 1.14...1.3V DC; 1.7...1.95V DC Memory: 1Gb DRAM Mounting: SMD Clock frequency: 400MHz Memory organisation: 8Mx16bitx8 |
товару немає в наявності |