IS43LD16640D-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134TFBGA
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: HSUL_12
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 134-VFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 533 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-VFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 658.67 грн |
| 10+ | 589.50 грн |
| 25+ | 571.36 грн |
| 40+ | 527.47 грн |
| 171+ | 500.77 грн |
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Технічний опис IS43LD16640D-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 1Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 533MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 134Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS43LD16640D-18BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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IS43LD16640D-18BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s) tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.2V Taktfrequenz, max.: 533MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 134Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43LD16640D-18BLI |
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Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LD16640D-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 1 Gbit, 64M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)