на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1179.30 грн |
| 10+ | 1096.46 грн |
| 25+ | 914.45 грн |
| 50+ | 910.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LD32640B-25BLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134, DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4, Bauform - Speicherbaustein: BGA, DRAM-Dichte: 2, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Zugriffszeit: -, Versorgungsspannung, nom.: 1.2, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Taktfrequenz: 400, Anzahl der Pins: 134, Produktpalette: IS43LD, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
Інші пропозиції IS43LD32640B-25BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43LD32640B-25BLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) |
 Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD32640B-25BLI - SDRAM, 64M x 32 Bit, parallele Schnittstelle, BGA-134DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4 Bauform - Speicherbaustein: BGA DRAM-Dichte: 2 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.2 IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Anzahl der Pins: 134 Produktpalette: IS43LD Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 32 bit SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
товару немає в наявності |