Технічний опис IS43LR16160H-6BLI ISSI
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA, Packaging: Bulk, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 256Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 16M x 16.
Інші пропозиції IS43LR16160H-6BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43LR16160H-6BLI | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
|
|
|
IS43LR16160H-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA |
товару немає в наявності |
|
| IS43LR16160H-6BLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 16M x 16 |
товару немає в наявності |
||
 |
IS43LR16160H-6BLI | Виробник : ISSI |
DRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT |
товару немає в наявності |