%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43LR16640A-5BL-TR")
Технічний опис IS43LR16640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Mounting: SMD, Case: TWBGA60, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: 0...70°C, Clock frequency: 200MHz, Memory: 1Gb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Kind of package: reel; tape, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Access time: 5ns.
Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43LR16640A-5BL-TR | ISSI |
 DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43LR16640A-5BL-TR | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Mounting: SMD Case: TWBGA60 Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bitx4 Kind of package: reel; tape Kind of memory: LPDDR; SDRAM Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 5ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43LR16640A-5BL-TR |
|
Виробник: ISSI
DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS43LR16640A-5BL-TR |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: reel; tape
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.