Продукція > ISSI > IS43LR16640A-5BL-TR
IS43LR16640A-5BL-TR

IS43LR16640A-5BL-TR ISSI


117943-46lr16640a.pdf Виробник: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43LR16640A-5BL-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory: 1Gb DRAM, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TWBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL-TR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS43LR16640A-5BL-TR Виробник : ISSI IS43LR16640A-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 1Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Access time: 5ns
Case: TWBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16640A-5BL-TR IS43LR16640A-5BL-TR Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LR16640A.pdf Description: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16640A-5BL-TR IS43LR16640A-5BL-TR Виробник : ISSI 43_46LR16640A-276637.pdf DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16640A-5BL-TR Виробник : ISSI IS43LR16640A-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 1Gb DRAM
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Access time: 5ns
Case: TWBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.