%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43LR16640A-5BL")
Технічний опис IS43LR16640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Mounting: SMD, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Access time: 5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Operating temperature: 0...70°C, Clock frequency: 200MHz, Memory: 1Gb DRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Kind of package: in-tray; tube, Case: TWBGA60.
Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43LR16640A-5BL | ISSI |
 DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43LR16640A-5BL | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Kind of memory: LPDDR; SDRAM Mounting: SMD Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: 0...70°C Clock frequency: 200MHz Memory: 1Gb DRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 16Mx16bitx4 Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IS43LR16640A-5BL | ISSI |
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43LR16640A-5BL |
|
Виробник: ISSI
DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS43LR16640A-5BL |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...70°C
Clock frequency: 200MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 16Mx16bitx4
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA60
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS43LR16640A-5BL |
|
Виробник: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.