Технічний опис IS43LR16640A-5BL ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Kind of package: in-tray; tube, Case: TWBGA60, Kind of interface: parallel, Operating temperature: 0...70°C, Access time: 5ns, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, Memory: 1Gb DRAM, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Type of integrated circuit: DRAM memory, Mounting: SMD.
Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43LR16640A-5BL | Виробник : ISSI |
 DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA |
товару немає в наявності |
|
%20Renders/706;-60TWBGA-1.1-10x8;-;-60.jpg "IS43LR16640A-5BL") |
IS43LR16640A-5BL | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA |
товару немає в наявності |
|
 |
IS43LR16640A-5BL | Виробник : ISSI |
DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS43LR16640A-5BL | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Kind of package: in-tray; tube Case: TWBGA60 Kind of interface: parallel Operating temperature: 0...70°C Access time: 5ns Supply voltage: 1.7...1.95V DC Memory: 1Gb DRAM Memory organisation: 16Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Kind of memory: LPDDR; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Mounting: SMD |
товару немає в наявності |