Продукція > ISSI > IS43LR16640A-5BL

IS43LR16640A-5BL ISSI

Name: IS43LR16640A-5BL
Brand: ISSI
SKU: 238172-4
Price: 205992 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: ISSI
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IS43LR16640A-5BL ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: LPDDR; SDRAM, Memory: 1Gb DRAM, Memory organisation: 16Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TWBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.7...1.95V DC, кількість в упаковці: 300 шт.

Інші пропозиції IS43LR16640A-5BL

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IS43LR16640A-5BL	Виробник : ISSI	DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 60-Pin TW-BGA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43LR16640A-5BL	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 1Gb DRAM Memory organisation: 16Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.95V DC кількість в упаковці: 300 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43LR16640A-5BL	Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Description: IC DDR 1GB 200MHZ 60BGA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43LR16640A-5BL	Виробник : ISSI	DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IS43LR16640A-5BL	Виробник : ISSI	Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 16Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TWBGA60; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 1Gb DRAM Memory organisation: 16Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TWBGA60 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.95V DC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.