Продукція > ISSI > IS43LR32160C-6BLI
IS43LR32160C-6BLI

IS43LR32160C-6BLI ISSI

43_46LR32160C-319031.pdf Виробник: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+674.45 грн
10+614.76 грн
25+520.83 грн
50+513.95 грн
100+472.71 грн
240+438.35 грн
480+433.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43LR32160C-6BLI ISSI

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS43LR32160C-6BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS43LR32160C-6BLI IS43LR32160C-6BLI Виробник : ISSI 178474287161862143-46lr32160c.pdf DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32160C-6BLI IS43LR32160C-6BLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LR32160C.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32160C-6BLI Виробник : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A48F4F176D80D5&compId=IS43LR32160C-6BLI.pdf?ci_sign=57896a8aeaab8d96a7dd0a7c97c7c7fe5a2f8c33 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Clock frequency: 166MHz
Access time: 6ns
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.