Продукція > ISSI > IS43LR32160C-6BLI
IS43LR32160C-6BLI

IS43LR32160C-6BLI ISSI


43-46LR32160C.pdf Виробник: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
на замовлення 415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.60 грн
10+631.76 грн
25+533.13 грн
50+520.00 грн
100+492.18 грн
240+485.23 грн
480+472.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43LR32160C-6BLI ISSI

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 90-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Clock Frequency: 166 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Write Cycle Time - Word, Page: 12ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 5.5 ns, Memory Organization: 16M x 32, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS43LR32160C-6BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS43LR32160C-6BLI IS43LR32160C-6BLI Виробник : ISSI 178474287161862143-46lr32160c.pdf DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR32160C-6BLI IS43LR32160C-6BLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46LR32160C.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.