IS43LR32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 4M x 32
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 128Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tray
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43LR32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA, DigiKey Programmable: Not Verified, Memory Organization: 4M x 32, Access Time: 5.5 ns, Memory Interface: Parallel, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Technology: SDRAM - Mobile LPDDR, Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 128Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 90-TFBGA, Packaging: Tray.
Інші пропозиції IS43LR32400G-6BLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR32400G-6BLI | ISSI |
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43LR32400G-6BLI |
![]() |
Виробник: ISSI
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.


