IS43QR16512A-083TBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 1.2GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43QR16512A-083TBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43QR16512A-083TBLI - DRAM, DDR4, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 1.2 GHz, FBGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR4, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: FBGA, Speicherdichte: 8Gbit, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.2V, Taktfrequenz, max.: 1.2GHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS43QR16512A-083TBLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43QR16512A-083TBLI | ISSI | DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43QR16512A-083TBLI | ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C Memory: 8Gb DRAM Supply voltage: 1.2V DC Kind of memory: DDR4; SDRAM Case: TWBGA96 Mounting: SMD Access time: 14.16ns Type of integrated circuit: DRAM memory Operating temperature: -40...95°C Kind of interface: parallel Memory organisation: 512Mx16bit Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 136 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS43QR16512A-083TBLI |
Виробник: ISSI
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
DRAM 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IS43QR16512A-083TBLI |
|
Виробник: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 14.16ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 14.16ns; TWBGA96; -40÷95°C
Memory: 8Gb DRAM
Supply voltage: 1.2V DC
Kind of memory: DDR4; SDRAM
Case: TWBGA96
Mounting: SMD
Access time: 14.16ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...95°C
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512Mx16bit
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику
од. на суму грн.