Продукція > ISSI > IS43R16160F-5BLI
IS43R16160F-5BLI

IS43R16160F-5BLI ISSI


43_46R16160_32800_83200F-462612.pdf Виробник: ISSI
DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 200MHz, 60 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
на замовлення 15 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.85 грн
10+ 330.9 грн
25+ 281.73 грн
100+ 253.03 грн
190+ 239.67 грн
570+ 232.33 грн
1140+ 226.32 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43R16160F-5BLI ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TFBGA60, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 2.5V DC, кількість в упаковці: 190 шт.

Інші пропозиції IS43R16160F-5BLI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IS43R16160F-5BLI IS43R16160F-5BLI Виробник : ISSI 43-46r16160-32800-83200f.pdf DRAM Chip DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.5V 60-Pin TFBGA
товар відсутній
IS43R16160F-5BLI Виробник : ISSI IS43R16160F-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Access time: 5ns
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.5V DC
кількість в упаковці: 190 шт
товар відсутній
IS43R16160F-5BLI IS43R16160F-5BLI Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46R16160-32800-83200F.pdf Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA
товар відсутній
IS43R16160F-5BLI Виробник : ISSI IS43R16160F-5BL.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Access time: 5ns
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
Supply voltage: 2.5V DC
товар відсутній