IS43R16800E-5TL-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Memory: 128Mb DRAM
Memory organisation: 2Mx16bitx4
Clock frequency: 200MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP66 II
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.5V DC
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43R16800E-5TL-TR ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR1; SDRAM, Memory: 128Mb DRAM, Memory organisation: 2Mx16bitx4, Clock frequency: 200MHz, Access time: 5ns, Case: TSOP66 II, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...70°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel; tape, Supply voltage: 2.5V DC, кількість в упаковці: 1500 шт.
Інші пропозиції IS43R16800E-5TL-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS43R16800E-5TL-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS43R16800E-5TL-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IS43R16800E-5TL-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: DRAM memory; 128MbDRAM; 2Mx16bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR1; SDRAM Memory: 128Mb DRAM Memory organisation: 2Mx16bitx4 Clock frequency: 200MHz Access time: 5ns Case: TSOP66 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.5V DC |
товару немає в наявності |