Продукція > ISSI > IS43R86400F-5TL
IS43R86400F-5TL

IS43R86400F-5TL ISSI

43-46R86400F-16320F.pdf Виробник: ISSI
DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.42 грн
10+297.72 грн
25+246.67 грн
216+228.34 грн
540+219.94 грн
1080+215.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS43R86400F-5TL ISSI

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V, Technology: SDRAM - DDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 66-TSOP II, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 700 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції IS43R86400F-5TL за ціною від 263.24 грн до 368.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IS43R86400F-5TL IS43R86400F-5TL Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46R86400F-16320F.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V
Technology: SDRAM - DDR
Clock Frequency: 200 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 66-TSOP II
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 700 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.44 грн
10+321.54 грн
25+314.54 грн
40+293.58 грн
108+263.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43R86400F-5TL Виробник : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A492CC693380D5&compId=IS43R16320F-5BL.pdf?ci_sign=5d2a47b8bf6e2e290063ebee82297444906bbed3 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 200MHz; 5ns; TSOP66 II
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TSOP66 II
Access time: 5ns
Supply voltage: 2.5V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Memory: 512Mb DRAM
Kind of memory: DDR1; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.