IS43TR16256BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 4GBIT PAR 96TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-TWBGA (9x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3L
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-TFBGA
Packaging: Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 678.82 грн |
| 10+ | 606.97 грн |
| 25+ | 588.37 грн |
| 50+ | 538.97 грн |
| 190+ | 513.80 грн |
| 380+ | 500.95 грн |
| 570+ | 485.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16256BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423290, DRAM-Ausführung: DDR3L, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 4Gbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 933MHz, Betriebstemperatur, min.: 0°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit.
Інші пропозиції IS43TR16256BL-107MBL за ціною від 1943.93 грн до 1943.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS43TR16256BL-107MBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR3L euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 4Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 933MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IS43TR16256BL-107MBL | ISSI |
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS43TR16256BL-107MBL |
![]() |
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16256BL-107MBL - DRAM, DDR3L, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 933 MHz, BGA, 96 Pin(s)
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR3L
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 4Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.35V
Taktfrequenz, max.: 933MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 96Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 16 Bit
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1943.93 грн |
| IS43TR16256BL-107MBL |
![]() |
Виробник: ISSI
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
DRAM 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



