IS43TR16512BL-107MBLI ISSI
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 136+ | 1339.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16512BL-107MBLI ISSI
Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 96-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 8Gbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC), Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V, Technology: SDRAM - DDR3L, Clock Frequency: 933 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 512M x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS43TR16512BL-107MBLI за ціною від 1255.59 грн до 1973.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IS43TR16512BL-107MBLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGAPackaging: Tray Package / Case: 96-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC) Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V Technology: SDRAM - DDR3L Clock Frequency: 933 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IS43TR16512BL-107MBLI | Виробник : ISSI |
DRAM 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IS43TR16512BL-107MBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.91ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 933MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 8Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Case: TWBGA96 кількість в упаковці: 136 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IS43TR16512BL-107MBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.91ns; TWBGA96 Supply voltage: 1.35V DC Mounting: SMD Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR3L; SDRAM Memory organisation: 512Mx16bit Access time: 13.91ns Clock frequency: 933MHz Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 8Gb DRAM Operating temperature: -40...95°C Case: TWBGA96 |
товар відсутній |