IS43TR16512BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 96-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.283V ~ 1.45V
Technology: SDRAM - DDR3L
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-TWBGA (10x14)
Part Status: Active
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1742.54 грн |
| 10+ | 1553.39 грн |
| 25+ | 1504.11 грн |
| 50+ | 1376.86 грн |
| 136+ | 1327.48 грн |
| 272+ | 1293.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS43TR16512BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s), tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR3L, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 8Gbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, nom.: 1.35V, Taktfrequenz, max.: 800MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 96Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 95°C, Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019).
Інші пропозиції IS43TR16512BL-125KBLI за ціною від 1387.30 грн до 2176.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS43TR16512BL-125KBLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43TR16512BL-125KBLI - DRAM, DDR3L, 8 Gbit, 512M x 16 Bit, 800 MHz, BGA, 96 Pin(s)tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR3L rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 8Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.35V Taktfrequenz, max.: 800MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 96Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 95°C Speicherkonfiguration: 512M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS43TR16512BL-125KBLI | Виробник : ISSI |
DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IS43TR16512BL-125KBLI | Виробник : ISSI |
1Gx8, 512Mx16 8Gb DDR3 SDRAM |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IS43TR16512BL-125KBLI | Виробник : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuitsDescription: IC: DRAM memory; 8GbDRAM; 512Mx16bit; 933MHz; 13.75ns; TWBGA96 Mounting: SMD Operating temperature: -40...95°C Kind of memory: DDR3L; SDRAM Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Case: TWBGA96 Access time: 13.75ns Supply voltage: 1.35V DC Clock frequency: 933MHz Memory organisation: 512Mx16bit Memory: 8Gb DRAM |
товару немає в наявності |
