Технічний опис IS61LF12836A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Kind of interface: parallel, Case: QFP100, Access time: 7.5ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 4.5Mb SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції IS61LF12836A-7.5TQLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61LF12836A-7.5TQLI-TR | ISSI |
SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61LF12836A-7.5TQLI-TR | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Case: QFP100 Access time: 7.5ns Operating voltage: 3.3V Memory: 4.5Mb SRAM Memory organisation: 128kx36bit Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61LF12836A-7.5TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61LF12836A-7.5TQLI-TR |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Case: QFP100
Access time: 7.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 4.5Mb SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Kind of package: reel; tape
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Kind of interface: parallel
Case: QFP100
Access time: 7.5ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 4.5Mb SRAM
Memory organisation: 128kx36bit
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.



