%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61LF25636B-7.5TQLI")
Технічний опис IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 256kx36bit, Kind of package: in-tray; tube, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: SRAM memory.
Інші пропозиції IS61LF25636B-7.5TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61LF25636B-7.5TQLI | ISSI |
 SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61LF25636B-7.5TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 256kx36bit Kind of package: in-tray; tube Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: SRAM memory |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61LF25636B-7.5TQLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61LF25636B-7.5TQLI |
|
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 7.5ns; QFP100; parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 256kx36bit
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFP100
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: SRAM memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.