Технічний опис IS61LPD51236A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Kind of memory: SRAM, Access time: 3.1ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 18Mb SRAM, Memory organisation: 512kx36bit.
Інші пропозиції IS61LPD51236A-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61LPD51236A-200TQLI | Виробник : ISSI |
 SRAM 18Mb,Pipeline,Sync,512K x 36,200MHz,3.3V or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61LPD51236A-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 512kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 3.1ns Operating voltage: 3.3V Memory: 18Mb SRAM Memory organisation: 512kx36bit |
товару немає в наявності |