Технічний опис IS61LPS12836A-200TQLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 4.5Mb SRAM, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції IS61LPS12836A-200TQLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61LPS12836A-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100 Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IS61LPS12836A-200TQLI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61LPS12836A-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61LPS12836A-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100 Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
товару немає в наявності |