/165-TBGA.jpg "IS61LPS12836EC-200B3LI-TR")
Технічний опис IS61LPS12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Kind of interface: parallel, Case: TFBGA165, Access time: 3.1ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 4.5Mb SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Kind of package: reel; tape.
Інші пропозиції IS61LPS12836EC-200B3LI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
 SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TFBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Kind of interface: parallel Case: TFBGA165 Access time: 3.1ns Operating voltage: 3.3V Memory: 4.5Mb SRAM Memory organisation: 128kx36bit Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |