Технічний опис IS61LPS204836B-166TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 72Mb SRAM, Memory organisation: 2Mx36bit, Operating voltage: 3.3V, Access time: 3.8ns, Case: TQFP100, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61LPS204836B-166TQLI
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 72Mb SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Operating voltage: 3.3V Access time: 3.8ns Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IS61LPS204836B-166TQLI | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; 3.3V; 3.8ns; TQFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 72Mb SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Operating voltage: 3.3V Access time: 3.8ns Case: TQFP100 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |