| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1158.55 грн |
| 10+ | 1058.83 грн |
| 25+ | 892.90 грн |
| 50+ | 874.82 грн |
| 72+ | 837.97 грн |
| 288+ | 813.63 грн |
| 504+ | 793.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61LPS25636A-200TQLI ISSI
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP, Packaging: Tray, Package / Case: 100-LQFP, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 9Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V, Technology: SRAM - Synchronous, SDR, Clock Frequency: 200 MHz, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 100-LQFP (14x20), Part Status: Active, Memory Interface: Parallel, Access Time: 3.1 ns, Memory Organization: 256K x 36, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61LPS25636A-200TQLI за ціною від 934.86 грн до 1196.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS61LPS25636A-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFPPackaging: Tray Package / Case: 100-LQFP Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 9Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.465V Technology: SRAM - Synchronous, SDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 100-LQFP (14x20) Part Status: Active Memory Interface: Parallel Access Time: 3.1 ns Memory Organization: 256K x 36 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IS61LPS25636A-200TQLI |
|
на замовлення 1339 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
| IS61LPS25636A-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 3.5ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: QFP100 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 3.5ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 256kx36bit |
товару немає в наявності |

