Технічний опис IS61LV25616AL-10BI ISSI
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 48-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 48-TFBGA (8x10), Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 256K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61LV25616AL-10BI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61LV25616AL-10BI | Виробник : ISSI |
 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IS61LV25616AL-10BI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA |
товар відсутній |
||
 |
IS61LV25616AL-10BI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (8x10) Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 256K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
IS61LV25616AL-10BI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb 256Kx16 10ns Async SRAM 3.3v |
товар відсутній |