IS61LV5128AL-10TLI ISSI
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 314.51 грн |
| 10+ | 288.94 грн |
| 25+ | 244.38 грн |
| 50+ | 238.27 грн |
| 100+ | 230.63 грн |
| 270+ | 223.76 грн |
| 540+ | 218.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61LV5128AL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.135V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.63V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS61LV5128AL-10TLI за ціною від 223.02 грн до 392.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IS61LV5128AL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IS61LV5128AL-10TLI | Виробник : INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IS61LV5128AL-10TLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IS61LV5128AL-10TLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP IIPackaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IS61LV5128AL10TLI | Виробник : ISSI |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
IS61LV5128AL-10TLI | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II |
товару немає в наявності |


