IS61LV5128AL-10TLI ISSI
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 307.10 грн |
| 50+ | 281.08 грн |
| 135+ | 278.25 грн |
| 270+ | 265.68 грн |
| 540+ | 243.39 грн |
| 1080+ | 220.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61LV5128AL-10TLI ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: TSOP, Speicherdichte: 4Mbit, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: 3A991.b.1.b.2, Versorgungsspannung, nom.: 3.3V, Taktfrequenz, max.: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 3.135V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 44Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 3.63V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, SRAM: Asynchroner SRAM, Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції IS61LV5128AL-10TLI за ціною від 307.10 грн до 531.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61LV5128AL-10TLI | ISSI |
 SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II |
на замовлення 12594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IS61LV5128AL-10TLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 3.3V Access time: 10ns Case: TSOP44 II Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IS61LV5128AL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IS61LV5128AL-10TLI | ISSI |
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IS61LV5128AL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI |
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.1.b.2 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3.135V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.63V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IS61LV5128AL10TLI | ISSI |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS61LV5128AL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 12594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 307.10 грн |
| IS61LV5128AL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 10ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 4Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 351.80 грн |
| 10+ | 325.84 грн |
| IS61LV5128AL-10TLI |
|
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.59 грн |
| 10+ | 476.53 грн |
| 25+ | 462.14 грн |
| 50+ | 423.46 грн |
| 135+ | 408.87 грн |
| IS61LV5128AL-10TLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IS61LV5128AL-10TLI |
|
Виробник: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS61LV5128AL-10TLI - IC, SRAM, 4MB, 512K x 8 Bit, 10ns Zugriffszeit, 3.135V bis 3.6V Versorgungsspannung, TSOP-44
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.135V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IS61LV5128AL10TLI |
Виробник: ISSI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)