Технічний опис IS61LV6416-10T ICSI
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II, Packaging: Tray, Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V, Technology: SRAM - Asynchronous, Memory Format: SRAM, Supplier Device Package: 44-TSOP II, Write Cycle Time - Word, Page: 10ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 10 ns, Memory Organization: 64K x 16, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції IS61LV6416-10T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61LV641610T | Виробник : ISSI |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI |
 07+; |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI |
TSOP |
на замовлення 13900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI |
TSOP44 |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI |
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
товар відсутній |
|
 |
IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3.135V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 64K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
IS61LV6416-10T | Виробник : ISSI |
SRAM 1Mb 64Kx16 10ns Async SRAM 3.3v |
товар відсутній |