Технічний опис IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 7.5ns, Memory: 9Mb SRAM, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 512kx18bit, Operating voltage: 3.3V, Kind of memory: SRAM.
Інші пропозиції IS61NLF51218A-7.5TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61NLF51218A-7.5TQLI | ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
|
IS61NLF51218A-7.5TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Access time: 7.5ns Memory: 9Mb SRAM Kind of interface: parallel Memory organisation: 512kx18bit Operating voltage: 3.3V Kind of memory: SRAM |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61NLF51218A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61NLF51218A-7.5TQLI |
![]() |
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 7.5ns
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of package: in-tray; tube
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 7.5ns
Memory: 9Mb SRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 512kx18bit
Operating voltage: 3.3V
Kind of memory: SRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.




