Технічний опис IS61NLF51218A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 7.5ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.
Інші пропозиції IS61NLF51218A-7.5TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IS61NLF51218A-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
|
IS61NLF51218A-7.5TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100 Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 7.5ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 512kx18bit Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel |
товару немає в наявності |

