Технічний опис IS61NLP12836B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 128kx36bit, Access time: 3.1ns, Kind of interface: parallel, Memory: 4.5Mb SRAM, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP12836B-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 72 шт |
товар відсутній |
|
 |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP |
товар відсутній |
|
 |
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товар відсутній |
|
|
|
IS61NLP12836B-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4.5MbSRAM; 128kx36bit; 3.3V; 3.1ns; TQFP100 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Memory organisation: 128kx36bit Access time: 3.1ns Kind of interface: parallel Memory: 4.5Mb SRAM Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory |
товар відсутній |