IS61NLP25636A-200B3LI-TR ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
Operating voltage: 3.3V
Access time: 200ns
Case: PBGA165
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP25636A-200B3LI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 256kx36bit, Operating voltage: 3.3V, Access time: 200ns, Case: PBGA165, Kind of interface: parallel, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 2000 шт.
Інші пропозиції IS61NLP25636A-200B3LI-TR
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IS61NLP25636A-200B3LI-TR | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
|
IS61NLP25636A-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
IS61NLP25636A-200B3LI-TR | Виробник : ISSI |
![]() Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 256kx36bit Operating voltage: 3.3V Access time: 200ns Case: PBGA165 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |