Продукція > ISSI > IS61NLP25636A-200B3LI
IS61NLP25636A-200B3LI

IS61NLP25636A-200B3LI ISSI

61NLP_NVP25636A_51218A.pdf
Виробник: ISSI
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IS61NLP25636A-200B3LI ISSI

Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: PBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Kind of memory: SRAM, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 256kx36bit.

Інші пропозиції IS61NLP25636A-200B3LI

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IS61NLP25636A-200B3LI IS61NLP25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 61NLP_NVP25636A_51218A.pdf Description: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61NLP25636A-200B3LI ISSI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: PBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61NLP25636A-200B3LI 61NLP_NVP25636A_51218A.pdf
IS61NLP25636A-200B3LI
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165BGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61NLP25636A-200B3LI IS61NLP25636A-200B3LI.pdf
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: PBGA165
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 256kx36bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.