IS61NLP25636A-200B3LI ISSI
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2046.12 грн |
| 10+ | 1868.14 грн |
| 25+ | 1573.01 грн |
| 50+ | 1534.76 грн |
| 100+ | 1479.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP25636A-200B3LI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165, Type of integrated circuit: SRAM memory, Case: PBGA165, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Kind of memory: SRAM, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 256kx36bit.
Інші пропозиції IS61NLP25636A-200B3LI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
IS61NLP25636A-200B3LI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT 200MHZ 165BGA |
товару немає в наявності |
|
| IS61NLP25636A-200B3LI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 256kx36bit; 3.3V; 200ns; PBGA165 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: PBGA165 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Kind of memory: SRAM Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 256kx36bit |
товару немає в наявності |

/165-TBGA.jpg)