Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.
Інші пропозиції IS61NLP51218A-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| IS61NLP51218A-200TQLI |
|
Виробник: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IS61NLP51218A-200TQLI |
|
Виробник: ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel
Case: TQFP100
Mounting: SMD
Kind of memory: SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 200ns
Operating voltage: 3.3V
Memory: 9Mb SRAM
Memory organisation: 512kx8bit
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику
од. на суму грн.