| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1818.95 грн |
| 10+ | 1661.81 грн |
| 25+ | 1399.16 грн |
| 50+ | 1365.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.
Інші пропозиції IS61NLP51218A-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel Case: TQFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 200ns Operating voltage: 3.3V Memory: 9Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel |
товару немає в наявності |