Технічний опис IS61NLP51218A-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx8bit; 3.3V; 200ns; TQFP100; parallel, Case: TQFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 200ns, Operating voltage: 3.3V, Memory: 9Mb SRAM, Memory organisation: 512kx8bit, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel.
Інші пропозиції IS61NLP51218A-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IS61NLP51218A-200TQLI | ISSI |
 SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IS61NLP51218A-200TQLI |
|
Виробник: ISSI
SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)