Технічний опис IS61NLP51218B-200TQLI-TR ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 3.1ns, Kind of package: reel; tape, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Case: QFP100, Operating voltage: 3.3V, кількість в упаковці: 800 шт.
Інші пропозиції IS61NLP51218B-200TQLI-TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP51218B-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
IS61NLP51218B-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61NLP51218B-200TQLI-TR | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: reel; tape Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 Operating voltage: 3.3V |
товару немає в наявності |