Технічний опис IS61NLP51218B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Operating voltage: 3.3V, Type of integrated circuit: SRAM memory, Kind of memory: SRAM, Memory organisation: 512kx18bit, Access time: 3.1ns, Kind of package: in-tray; tube, Kind of interface: parallel, Memory: 9Mb SRAM, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Case: QFP100, кількість в упаковці: 72 шт.
Інші пропозиції IS61NLP51218B-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 кількість в упаковці: 72 шт |
товару немає в наявності |
||
%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61NLP51218B-200TQLI") |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Operating voltage: 3.3V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 512kx18bit Access time: 3.1ns Kind of package: in-tray; tube Kind of interface: parallel Memory: 9Mb SRAM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Case: QFP100 |
товару немає в наявності |