Технічний опис IS61NLP51218B-200TQLI ISSI
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ., Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel, Kind of interface: parallel, Case: QFP100, Mounting: SMD, Kind of memory: SRAM, Type of integrated circuit: SRAM memory, Operating temperature: -40...85°C, Access time: 3.1ns, Operating voltage: 3.3V, Memory organisation: 512kx18bit, Memory: 9Mb SRAM, Kind of package: in-tray; tube.
Інші пропозиції IS61NLP51218B-200TQLI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
%20Renders/706;-100LQFP-1.6-14x20;-;-100.jpg "IS61NLP51218B-200TQLI") |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100LQFP |
товару немає в наявності |
|
 |
IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS |
товару немає в наявності |
|
| IS61NLP51218B-200TQLI | Виробник : ISSI |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 3.1ns; QFP100; parallel Kind of interface: parallel Case: QFP100 Mounting: SMD Kind of memory: SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Operating temperature: -40...85°C Access time: 3.1ns Operating voltage: 3.3V Memory organisation: 512kx18bit Memory: 9Mb SRAM Kind of package: in-tray; tube |
товару немає в наявності |